MoS&ltsub&gt2&lt/sub&gt体系的Cu原子吸附效应研究

孙金芳

【摘要】本文基于第一性原理,利用MtrlsStud软件中的stp模块,计算了Cu原子在单层和双层MS2晶体中的吸附效果以及对整个体系性能的影响。结果表明:对于层表面吸附和层间吸附的稳定性有所差异。对单层和双层的MS2表面吸附情况分析可知,TM吸附位置最稳定,对于双层间吸附性,BM吸附位置最稳定。

【Abstrt】dthfrstprpl,thspprussthstpdulMtrlsStudsftrtlultthdsrptfftfCutssl-ddubl-MS2rystlsdthfluthprfrfthhlsystThrsultsshthtthstbltyfsurfdsrptdtrdsrptsdffrtThdsrptfslddublthdsrptfMS2surfshsthtthTMdsrptpststhststblFrthdsrbbltybtts,thltfBMdsrptsthststbl

【关键词】第一性原理;MS2;Cu原子;吸附

【Kyrds】frstprpl;MS2;Cut;dsrpt

【中图分类号】U2835【文献标志码】A【文章编号】673-069(208)04-064-02

引言

MS2作为一种典型的层状过渡金属硫族化合物,因其单层存在直接带隙,其能带结构优于零带隙的石墨烯,是一种性能优良的半导体材料,在电磁学和电子器件等技术领域都有很大的应用价值[]。体MS2所在的空间群为P6_3/,其结构为间接带隙半导体,带宽为29V,层与层间通过范德瓦尔斯力相结合的。类似于石墨烯,单层和少数层MS2可通过机械剥离技术剥离出来,且单层MS2层内的M原子和S原子之间形成强共价键,因此单层结构非常稳定,这种容易制备又稳定的材料引起了研究者们的广泛关注。

2计算模型

在计算过程中,本文采用的软件是基于密度泛函(DFT)理论的第一性原理计算程序包CASTEP。采用广义梯度近似中的PBE关联泛函来对计算中交换关联势进行描述。布里渊区我们采用3×3×网格[2]。选用平面波函数截断能为380V,在结构弛豫过程中,具体参数设置为,能量收敛标准为0-4V,原子间作用力收敛判据为00V/?魡。

因层状MS2具有六角对称性,我们依次在六个高对称位置(TM,TS,Htp,BS,BM,H)放置Cu原子,然后进行弛豫操作。计算过程中分别在单层和双层表面设置了三个吸附位置。其中,TM表示放置在M原子正上方,TS表示放置在S原子的正上方,Htp表示放置在六元环中心位置[3]。同样的对于双层MS2三个层间吸附的位置分别为:在第一层MS2中的S原子的正下面记为BS,在第一层M原子的正下面记为BM,在上下两层由S-M-S构成的六元环的中心记为H。由双层MS2的结构对称性可知BS和BM的位置是等效的,所以在计算时只考虑了BS和H两个位置。构建4*4的MS2超胞,Cu原子吸附在MS2不同位置的构型如图(,d,)所示。4*4的超胞能够保证两个相邻Cu原子在间距超过0?魡,这样可以忽略它们之间的相互作用力。同时为了减小层间原子的相互影响,在z方向上建立0?魡的真空层。在计算中,二维超胞的晶格参数我们参照单胞的实验参数=36?魡,获得在xy平面,b==264?魡。为了获得更优的吸附构型,我们计算了各个系统的吸附能,吸附能定义为:

E(dsrpt)=E(Cu+MS2sht)-EMS2sht-ECu

E(Cu+MS2sht)是吸附体系总能,EMS2sht是孤立MS2片的总能,ECu是相对应孤立时金属Cu原子的总能。当吸附过程放热时吸附能为负,发生了化学反应,吸附能越小表明过渡金属Cu原子吸附越稳定。

3结果分析

通过分析两个吸附系统中三个位置的吸附能,发现从不同层的MS2表面吸附性能来看,TM位置最稳定,对于双层MS2的层间吸附来看,BM位置最稳定。通过分析双层MS2的两种吸附情況发现,层间的BM位置吸附能最低,最为稳定。这说明对于双层MS2,层间吸附更为稳定。通过stp计算结果可知,三个不同结构的MS2稳定结构中Cu原子和紧邻S原子成键的键长以及吸附高度数值。单层和双层MS2的表面吸附时,Cu-S键长为24?魡,吸附高度为090?魡,说明层数对吸附稳定性的影响较小。对于双层MS2的层间吸附情况,Cu原子和上层三个S原子所形成键长皆为22?魡,与下层一个S原子所成键的键长为222?魡,这说明所有S原子与Cu原子间的吸附能力相当。

单层和双层的本征MS2的态密度(DOS)如图和图2所示,结果表明单层和双层MS2的带隙分别为75V和62V。

图3和图4是单层和双层MS2表面吸附Cu原子的态密度图,图5是双层MS2层间吸附Cu原子的态密度图。从图中可知,对于三个不同吸附位置的体系,吸附Cu原子后都在原始带隙中引入了杂质态,而且费米面附近的杂质态是由自旋向下的电子态构成。然而,对于表面吸附体系,从图3和图4态密度图可知杂质态和费米能级之间最小带宽约为02V。所以,表面吸附体系仍具有半导体特性。对于层间吸附体系,如图5所示,有部分自旋向下的电子构成的杂质态刚好出现在费米能级附近,从而使得该体系在费米能级附近全部发生自旋极化。这说明在费米能级附近有一个自旋的电子通道,即双层MS2层间吸附体系表现出半金属特性。

本文采用stp模块计算了单层和双层MS2表面吸附和层间吸附金属原子Cu后的稳定性和电磁学性能。通过计算结果分析得到了一些重要结论。首先,找到了Cu原子吸附在单层和双层MS2表面和层间的具体稳定位置,Cu原子和周边原子间形成了共价键;Cu原子吸附后其局域磁矩减小。其次,通过三个不同稳定位置的吸附性能研究,发现Cu原子在表面吸附后,整体仍表现出半导体特性,仅仅在本征体系中引入了杂质态能系。最后,对于Cu原子吸附在双层MS2层间,整个系统在费米面附近显示出了完全自旋极化特征,即整体表现出了半金属特性。这些现象为MS2在自旋电子学方面的应用提供了理论支持。

【参考文献】

【】曹娟,崔磊,潘靖V,Cr,M掺杂MS2磁性的第一性原理研究[J]物理学报,203(8):404-40

【2】张昌华,余志强,廖红华T掺杂单层MS2的电子结构与光电性质[J]发光学报,204,35(7):785-790

【3】李刚,陈敏强,赵世雄,等S掺杂对单层MS2电子能带结构和光吸收性质的影响[J]物理化学学报,206,32(2):2905-292

文章来源于:中小企业管理与科技·上旬刊

浏览次数:  更新时间:2018-05-05 18:55:35
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